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- 頻率:1.0~125.0MHz
- 尺寸:5.0*3.2mm
- 產(chǎn)品描述:NSK是津綻石英科技股份有限公司于全球的銷售品牌,具有良好競爭性的價格及靈活快速的交貨管理,主要生產(chǎn)石英晶體諧振器,無源晶振與石英晶體振蕩器,有源晶振,東冠生產(chǎn)線主要生產(chǎn)小尺寸SMD晶體系列.
NAOH-53有源晶振,NSK石英晶體振蕩器,貼片晶振


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NAOH-53有源晶振,NSK石英晶體振蕩器,貼片晶振,5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

晶振參數(shù) | 單位 | 石英晶振NAOH-53 | 晶振需求標準 |
標準頻率范圍 | f_nom | 1.0—125.0MHz | 請確定你所需要的頻率,聯(lián)系我們代理商 |
儲存溫度 | T_stg | -55°C — +125°C | 裸存 |
工作溫度 | T_use | -40°C — +85°C | |
電源電壓 | VDC | 5.0V±10%,3.3V±10%,2.8V±5%,2.5V±5%,1.8V±5% | |
精度 | f_-l | ±20 ppm | 如有需要更高的精度可以特定. |
拐點溫度 | Ti | +25°C ±5°C | |
負載電容 | CL | 15PF | 可指定 |
串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 60kΩ 最大值 | |
頻率老化 | f_age | ±3 ×10-6 / year Max. | +25±3°C, 第一年 |



對于一條相對成熟的生產(chǎn)線來說,產(chǎn)品在常溫下的頻率穩(wěn)定性一般不會出現(xiàn)問題,比較常見的是產(chǎn)品的一致性(散差),尤其是高頻的小公差產(chǎn)品一致性往往不如人意.一致性考慮是多個產(chǎn)品的頻率公差,在測試系統(tǒng)中,觀察FL的正態(tài)分布圖可以很直觀的了解產(chǎn)品的一致,也可以使用儀器測試系統(tǒng)中的CPK計算功能,通過CPK來衡量產(chǎn)品的一致性.

因烤膠時間或溫度不正確也會造成頻率散差大,只是出現(xiàn)的概率較小,芯片原因造成頻率散差大一般在微調(diào)工序就能反映出來.為比較及時的了解頻率的一致性,應在封焊工序增加一個抽檢工站,以考查微調(diào)封焊后狀況,尤其能較早發(fā)現(xiàn)微調(diào)范圍或微調(diào)人員的個體差異.分析原因時一定要考慮各批次產(chǎn)品在制程中流動的時間是否大致相同,且越短越好,這一點對于產(chǎn)品的DLD特性也影響很大.
常溫電阻特性主要是中心值與穩(wěn)定性.電阻中心值與控制上限的距離與產(chǎn)品的合格率息息相關(guān),在測試系統(tǒng)中可以用平均值代替中心值,一般要求產(chǎn)品平均值是控制上限的50%左右.做制程改善時重點關(guān)注點膠與污染.芯片不良在電阻大這一不良項中出現(xiàn)次數(shù)會比較多,特別是新的芯片供貨商或開發(fā)新頻點時.
通常產(chǎn)品在常溫下的電阻要比頻率更穩(wěn)定,其變化量更容易控制在±0.5Ω以內(nèi),一般只有高頻產(chǎn)品或3RD產(chǎn)品會出現(xiàn)此類問題,如果產(chǎn)品有此類現(xiàn)象往往歸在可靠性中分析.
激勵功率相關(guān)性主要是考察產(chǎn)品在不同激勵功率下的頻率或電阻及其變化量,目前SMD產(chǎn)品設(shè)定的最小激勵功率一般是0.01uW,最大激勵功率一般是200 uW,20M以上的優(yōu)良產(chǎn)品DLD2和FDLD應小于1,12M左右的低頻產(chǎn)品DLD2特性稍差,但其中心值也應低于8Ω.產(chǎn)品DLD出問題時的分析圖請參照產(chǎn)品電阻大的分析圖,但有一點應特別引起重視—產(chǎn)品封焊前在制程中的流動速度越快越好,各工序產(chǎn)出應盡量平衡,減少物料在各工序等待時間.



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