規(guī)格型號：38621778
頻率：8~80MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
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產(chǎn)品描述：臺灣加高產(chǎn)品技術(shù)方面,除了不斷提升既有產(chǎn)品規(guī)格的精密度及穩(wěn)定性之外,我們更專注開發(fā)高溫度耐受性的產(chǎn)品、特殊應(yīng)用領(lǐng)域之規(guī)格,并朝小型化開發(fā)設(shè)計,以滿足終端產(chǎn)品的發(fā)展趨勢.

HSX531S無源晶振,進(jìn)口臺灣加高晶體,貼片晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

加高晶振參數(shù)	石英晶振HSX531S
標(biāo)準(zhǔn)頻率范圍	8~10MHZ	10~12MHZ	12~40MHZ	40~80MHZ
儲存溫度	-40°C ~+85°C
工作溫度	-10°C~ +60°C
激勵功率	10μW (100μW max)
精度	±20 ppm
頻率穩(wěn)定性	±10ppm/-10~+60℃(Ref.to25℃) ±15ppm/-20~+70℃(Ref.to25℃) ±20ppm/-30~+80℃(Ref.to25℃)
拐點(diǎn)溫度	+25°C ±5°C
負(fù)載電容	Series,8pF,10pF,12pF or Specify
串聯(lián)電阻（ESR）	70kΩ Max

量測負(fù)性阻抗

量測負(fù)性阻抗目的是避免振蕩器無法起振,振蕩器無法起振的原因是負(fù)性阻抗寬裕度不夠?qū)е?為避免此現(xiàn)象發(fā)生于設(shè)計時負(fù)性阻抗一般至少是 ESR的三倍以上,反之若太小時則會發(fā)生偶爾不起振的現(xiàn)象發(fā)生.

輸出端串接一個可變電阻,可變電阻調(diào)至最小,上電源讓電路正常動作,調(diào)整可變電阻,將之調(diào)大,直至振蕩器不起振,確定不起振后,再將可變電阻轉(zhuǎn)小,觀測波形,持續(xù)將可變電阻調(diào)小到振蕩器開始振蕩波形正常后,關(guān)閉電源,再打開電源,若振蕩器依舊可以起振,這時候可變電阻上的阻抗值再加上2儀器所測得振蕩器單體的電阻值即為負(fù)性阻抗值.

負(fù)載電容匹配

1.于振蕩電路產(chǎn)生的振蕩回路來看,不同的負(fù)載電容會有不同程度頻率飄移,因此設(shè)計時必須針對產(chǎn)品實際的負(fù)載電容做量測以確定是否與當(dāng)初設(shè)計規(guī)格一致

2.理論值負(fù)載電容計算方式如下,由C51 C52計算串聯(lián)電容后加上離散電容等于實際的負(fù)載電容,雜散電容內(nèi)含PCB Layout、芯片電極等等因素造成.

CL = C51 * C52 / (C51 + C52) + C0 + Cs;

Note: Cs refers to on board stray capacitance.

加高晶體承諾所有的運(yùn)作皆遵守本地國家的法律,并符合國際上所共同認(rèn)知環(huán)保與社會責(zé)任的標(biāo)準(zhǔn),成為一個創(chuàng)造股東最大權(quán)益、照顧員工、善盡社會責(zé)任的好公司. 我們將持續(xù)關(guān)注企業(yè)社會責(zé)任各項新議題,使本公司更加完整并落實企業(yè)社會責(zé)任所有面向. 對內(nèi),我們將透過各種教育訓(xùn)練與活動,用心創(chuàng)造一個多元且充滿活力的工作環(huán)境 (例如健康促進(jìn)活動); 對外,本公司透過與利害相關(guān)團(tuán)體間的溝通,積極落實企業(yè)社會責(zé)任活動,持續(xù)投入社會公益,降低對社會環(huán)境之沖擊.

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HSX531S無源晶振,進(jìn)口臺灣加高晶體,貼片晶振

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