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- 規格型號：13885790
- 頻率：1~125MHZ
- 尺寸：2.5*2.0mm
- 產品描述：SiTime晶振,SiT8002AA晶振,SiT8002AA-14-33E-123.12345T晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流...
SiTime晶振,SiT8002AA晶振,SiT8002AA-14-33E-123.12345T晶振
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SiTime晶振,SiT8002AA晶振,SiT8002AA-14-33E-123.12345T晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.
Sitime晶振是美國知名頻率元件研發制造商,致力于生產Sitime硅晶振,Sitime可編程晶振,具有更高性能,更低漂移,更小的尺寸以及高可靠性等特點.
SiTime 提供全面的福利計劃，使我們的團隊能夠繁榮發展并釋放他們的全部潛力——因為我們知道健康和財務狀況對于我們的員工茁壯成長至關重要.
自從文明誕生以來，人類就明白時間的重要性。時機創造了可以決定成功或失敗的機會和優勢。了解為何準確計時在當今的電子產品中至關重要，以及 SiTime 如何改變計時行業。我們正在重新定義未來幾十年的可能性。幫助我們賦能下一代創新者。
我們今天使用的計時設備的數量。它們存在于您口袋里的智能手機、辦公桌上的平板電腦、頭盔上的相機、飛行中的駕駛艙以及您家附近的地震探測系統中。我們的產品為電子產品提供了心跳。你看不到它們，但沒有它們你的世界就無法運轉。
SiTime Crystal是MegaChips公司的獨立子公司,主要以生產高精度石英晶體振蕩器,可編程晶體振蕩器,MEMS晶振等器件為主.SiTime晶振主要以生產MEMS晶振,VCXO晶振等頻率元件.SiTime晶振,SiT8002AA晶振,SiT8002AA-14-33E-123.12345T晶振.
SiTime 提供全面的福利計劃，使我們的團隊能夠繁榮發展并釋放他們的全部潛力——因為我們知道健康和財務狀況對于我們的員工茁壯成長至關重要.
自從文明誕生以來，人類就明白時間的重要性。時機創造了可以決定成功或失敗的機會和優勢。了解為何準確計時在當今的電子產品中至關重要，以及 SiTime 如何改變計時行業。我們正在重新定義未來幾十年的可能性。幫助我們賦能下一代創新者。
我們今天使用的計時設備的數量。它們存在于您口袋里的智能手機、辦公桌上的平板電腦、頭盔上的相機、飛行中的駕駛艙以及您家附近的地震探測系統中。我們的產品為電子產品提供了心跳。你看不到它們，但沒有它們你的世界就無法運轉。
SiTime Crystal是MegaChips公司的獨立子公司,主要以生產高精度石英晶體振蕩器,可編程晶體振蕩器,MEMS晶振等器件為主.SiTime晶振主要以生產MEMS晶振,VCXO晶振等頻率元件.SiTime晶振,SiT8002AA晶振,SiT8002AA-14-33E-123.12345T晶振.
| Ab solute Maximum Table | ||||
| Parameter | Min. | Max. | Unit | |
| Storage Temperature | -65 | 150 | °C | |
| VDD | -0.5 | +3.65 | V | |
| Electrostatic Discharge | 6000 | V | ||
| Theta JA ( with copper plane on VDD and GND) | – | 75 | °C/W | |
| Theta JC (with PCB traces of 0.010 inch to all pins) | – | 24 | °C/W | |
| Soldering Temperature (follow standard Pb free soldering guidelines) | 260 | °C | ||
| Number of Program Writes | 1 | NA | ||
| Program Retention over -40 to 125C, Process, VDD (0 to 3.6V) | 1,000+ | years | ||
| Operating Conditions | ||||
| Parameter | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| Supply Voltages, VDD [1] | 2.97 | 3.3 | 3.63 | V |
| 2.25 | 2.5 | 2.75 | V | |
| 1.7 | 1.8 | 1.9 | V | |
| Automotive OperatingTemperature | -40 | – | 125 | °C |
| Maximum Load Capacitance [2] | – | – | 15 | pF |
| VDD Ramp Time | 0 | – | 200 | ms |
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耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品.在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.
粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.）
機械振動的影響
當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現象對通信器材通信質量有影響.盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作.
負載電容
有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節內容）.SiTime晶振,SiT8002AA晶振,SiT8002AA-14-33E-123.12345T晶振.
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