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- 規(guī)格型號：30344782
- 頻率：0.750~250MHZ
- 尺寸：5.0*3.2mm
- 產(chǎn)品描述：IDT晶振,XLH晶振,5032mm晶振,IDT是為4G、5G和云計算等無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用而設(shè)計的高性能的領(lǐng)先創(chuàng)新者。解決方案包括行業(yè)領(lǐng)先的射頻信號鏈產(chǎn)品,串行RapidIO,和先進(jìn)的時機(jī)。IDT為高性能的網(wǎng)絡(luò)通信應(yīng)用提供了廣泛的解決方案...
IDT晶振,XLH晶振,5032mm晶振
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IDT晶振,XLH晶振,5032mm晶振,IDT是為4G、5G和云計算等無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用而設(shè)計的高性能的領(lǐng)先創(chuàng)新者。解決方案包括行業(yè)領(lǐng)先的射頻信號鏈產(chǎn)品,串行RapidIO®,和先進(jìn)的時機(jī)。IDTde提供高效DDR3和DDR4 LRDIMM內(nèi)存接口解決方案,串行RapidIO®,PCI Express®開關(guān)和橋梁,信號完整性的產(chǎn)品,世界級的時機(jī)、高性能計算、高效電源管理解決方案和基于云計算的企業(yè)服務(wù)器應(yīng)用程序。
IDT晶振在德國的全資子公司- IDT歐洲有限公司(前身為ZMD AG)運(yùn)營其卓越的汽車中心。本公司卓越的子公司/中心是ts - 16949，根據(jù)iso26262的標(biāo)準(zhǔn)，支持功能性安全要求。了解更多關(guān)于IDT的汽車質(zhì)量。
由于微電子器件的功率耗散，熱能的管理很重要，可以從任何電子產(chǎn)品中獲得最好的性能。一種微電子設(shè)備的工作溫度決定了產(chǎn)品的速度和可靠性。IDT積極提高產(chǎn)品和包裝，以產(chǎn)生最快、最可靠的設(shè)備。然而，由于產(chǎn)品性能往往受到其實(shí)現(xiàn)的影響，因此建議仔細(xì)考慮影響設(shè)備運(yùn)行溫度的因素，以達(dá)到最好的效果。專業(yè)提供差分晶振,有源晶振等晶振產(chǎn)品.IDT晶振,XLH晶振,5032mm晶振.
| 項(xiàng)目 | 符號 | XLH晶振規(guī)格說明 | 條件 |
| 輸出頻率范圍 | f0 | 0.750~250MHZ | 請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
| 電源電壓 | VCC | 1.60 V to 3.63 V | 請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
| 儲存溫度 | T_stg | -55℃ to +125℃ | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | G: -40℃ to +85℃ | 請聯(lián)系我們查看更多資料http://m.fszhenghe.com/ |
| H: -40℃ to +105℃ | |||
| J: -40℃ to +125℃ | |||
| 頻率穩(wěn)定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 | |
| L: ±100 × 10-6 | |||
| T: ±150 × 10-6 | |||
| 功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
| 待機(jī)電流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND |
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
| 輸出電壓 | VOH | VCC-0.4V Min. | |
| VOL | 0.4 V Max. | ||
| 輸出負(fù)載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. | |
| 輸入電壓 | VIH | 80% VCC Max. | ST 終端 |
| VIL | 20 % VCC Max. | ||
| 上升/下降時間 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
| 振蕩啟動時間 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % |
| 頻率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
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IDT晶振,XLH晶振,5032mm晶振,存儲事項(xiàng)(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶體產(chǎn)品時，會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長期儲藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時注意事項(xiàng)
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時，在安裝條件更改的情況下，請再次進(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號 焊接條件
[ 柱面式 音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實(shí)例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。
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